United Silicon stellt die neue SiC FET Generation 4 vor

Ein neuer Maßstab für die Leistungselektronik durch 750V MOSFET

United Silicon, ein führender Hersteller von Silizium Karbid (SiC) Leistungshalbleiter hat die ersten vier Produkte einer neuen Generation von SiC FET veröffentlicht. Mit verbesserten Eigenschaften sind diese 750V Versionen die ersten am Markt verfügbaren Produkte.

Die branchenweit ersten 750-V-Geräte setzen Massstäbe für Anwendungen mit hoher Leistung

Als einer der führenden Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungshalbleitern (SiC) hat UnitedSiC die ersten vier Geräte auf den Markt gebracht, die auf der SiC-FET-Technologieplattform der vierten Generation basieren. Die ersten und bisher einzigen im Markt erhältlichen 750-V-SiC-FETs der vierten Generation ermöglichen ganz neue Leistungskennzahlen bei Leistungsanwendungen in der Automobilbranche, bei industriellen Ladelösungen, bei Telekomgleichrichtern, für die priorisierte Datenflusssteuerung in Rechenzentren, bei der DC-Wandlung sowie im Bereich der erneuerbaren Energien und Energiespeicherung.

Diese neuen mit 18 oder 60 mOhm erhältlichen SiC-FET erreichen beispiellose Leistungskennzahlen bei einem reduzierten On-Widerstand pro Flächeneinheit und einer niedrigen intrinsischen Kapazität. Bei hart schaltenden Anwendungen weisen die FET der vierten Generation den niedrigsten RDS(on) x EOSS auf (mOhm-uJ), was zu geringeren Ein- und Abschaltverlusten führt. Bei weich schaltenden Anwendungen gewährleistet der niedrige RDS(on) x Coss(tr) (mOhm-nF) niedrigere Leitungsverluste und höhere Frequenzen. Die Geräte übertreffen sowohl im kalten (25 °C) als auch im heissen (125 °C) Betrieb nicht nur die Leistung bestehender SiC-MOSFET, sondern bieten auch die niedrigste Durchlassspannung integrierter Dioden mit einer herausragenden Sperrverzögerungszeit, die für tiefe Totzeitverluste und eine höhere Effizienz sorgen. 

Durch die Erweiterung des Sortiments um 750-V-Geräte bieten die neuen Produkte von UnitedSiC Platzvorteile bei weniger Einschränkungen. Dank der höheren VDS eignen sich diese FET auch für Anwendungen mit Busspannungen von 400 bzw. 500 V.  Mit einem weitgehend kompatiblen Gate-Drive mit +/–20 V, 5 V UF lassen sich alle Geräte bei Gate-Spannungen von 0 bis +12 V betreiben.

Anup Bhalla, VP Engineering bei UnitedSiC erklärt: «Mit diesen Geräten lassen sich Problemstellungen lösen, mit denen Ingenieure aller Branchen zu kämpfen haben, wenn es um höchstmögliche Spannungs- und Leistungsanforderungen geht – von der DC-DC-Wandlung über die Onboard-Ladung bis hin zur Blindleistungskompensation und zu Solarwechselrichtern.»

 

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